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原子层沉积

ald涂层设备

atomic layer deposition coater
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atomic layer deposition coater 原子层沉积(ald)镀膜机

原子层沉积(atomic layer deposition, ald)是通过气相前驱体及反应物脉冲交替的通入反应腔并在基底上发生表面化学反应形成薄膜的一种方法,通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。

ald设备提供创新和灵活的设计,为mems和复杂的3d表面沉积高质量的光学薄膜,显着提高镀膜产品的性能和使用寿命,设备运行速度快、可靠性高且极易维护。

特点:

•热法原子层沉积(tald)和等离子增强原子层沉积(peald)可选
•批量镀膜加工(基材尺寸:8",10",12")
•低温工艺,塑料基材可镀
•3d表面镀膜高保形性
•薄膜均匀、光滑、致密、无针孔
•膜厚精确控制

product advantage.

产品特点
原子层沉积(ald)镀膜机包括以下关键功能:
  • tald/peald
  • 曲面镀膜
  • 低温工艺
  • 高保形性
  • 薄膜均匀
  • 膜厚精控
型号 hc-ald10
真空室 φ800 x h1300mm
成膜室 φ350 x h1000mm
成膜室抽速 8.0×10-2pa≤25min
成膜室极限真空度 8.0×10-4pa
沉积温度 max. 130℃
基片架 10"×48pcs
等离子源 rf 等离子体源
前驱体供给源 前驱体源瓶、ald 阀门、前驱体(bdeas、tma等)
排气系统 干泵 低温泵

application cases.

应用案例
型号 hc-ald10
真空室 φ1000 x h1300mm
成膜室 φ400 x h1000mm
成膜室抽速 8.0×10-2pa≤25min
成膜室极限真空度 8.0×10-4pa
沉积温度 max. 130℃
基片架 12"×48pcs
等离子源 rf 等离子体源
前驱体供给源 前驱体源瓶、ald 阀门、前驱体(bdeas、tma等)
排气系统 干泵 低温泵

application cases.

应用案例
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