rf离子源/霍尔离子源/考夫曼离子源-天生赢家 一触即发

高速率

离子束辅助沉积及清洗

ion beam assisted deposition (iad) and cleaning at high rate
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high performance rf ion source with ion assisted evaporation rf射频/霍尔/考夫曼离子源

rf 离子源
为反应性工艺(例如高度控制的光学镀膜的离子束辅助沉积或离子束沉积)提供宽而均匀的离子束源。
在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作。
稳定高效的等离子体操作具有精确控制能力并允许高重复性。
非常适合于负载锁定生产工艺。
无极放电,寿命长,工作长时间稳定。
工作高度达1米。
离子能量及离子束流密度可以精确控制且变化范围大。

霍尔离子源
专为真空镀膜制程提供高射束电流,从而提高制程均匀性并防止基材受损,实现表面预清洁、辅助沉积及选择性蚀刻。
对需要高电流、低能量离子的应用非常有效。
高射束电流对于控制薄膜应力和化学计量特别有用。
离子能量发散,离子束发散,有较大均匀区。
离子能量低,离子束流密度较大。
结构简单,拆卸方便。

考夫曼离子源
离子能量,束密可精确控制,不受环境影响。
放气量小,污染较小。
工作温升低,可冷镀。

product advantage.

产品特点
hc-rf离子辅助蒸度高性能射频离子源包括以下关键功能:
  • 专利技术

    汇成自主研发离子源

  • 离化率高

    高离子电流密度和均匀分布

  • 分布广

    照射面积能达到ф1150mm以上

  • 稳定

    动作安定性高,能长时间运转

  • 环保

    寿命长,污染少

  • 简单

    易于操作和维护

型号 hc-rfⅰ
尺寸 φ300mm × 150mm (h)
栅网尺寸 ф 17cm(molybdenum制3枚)
离子束电压 100v~1500v
离子束电流 1000ma
acc电压 100v~1000v
rf功率 600w
气体流量 20sccm~30sccm(氩气)
40sccm~60sccm(氧气)
使用压力 5 × 10-2 pa
水冷方式 rf线圈和本体

application cases.

应用案例
型号 hc-rfⅱ
尺寸 φ300mm × 150mm (h)
栅网尺寸 ф 17cm(molybdenum制3枚)
离子束电压 100v~1500v
离子束电流 1200ma
acc电压 100v~1000v
rf功率 750w/1000w
气体流量 20sccm~30sccm(氩气)
40sccm~60sccm(氧气)
使用压力 5 × 10-2 pa
水冷方式 rf线圈和本体

application cases.

应用案例
型号 hc-rfⅲ
尺寸 φ 390mm × 215mm(h)
栅网尺寸 ф 23cm(molybdenum制3枚)
离子束电压 100v~1500v
离子束电流 1800ma/2400ma
acc电压 100v~1000v
rf功率 2000w
气体流量 20sccm~40sccm(氩气)
40sccm~80sccm(氩气)
使用压力 5 × 10-2 pa
水冷方式 rf线圈和本体

application cases.

应用案例
型号 hc-rfⅳ
尺寸 φ 224mm ×143mm (h)
栅网尺寸 ф 10cm(molybdenum制3枚)
离子束电压 100v~1500v
离子束电流 500ma(max)
acc电压 100v~1000v
rf功率 600w(max)
气体流量 25sccm~35sccm(氩气)
10sccm~20sccm(氩气)
使用压力 5.0 ×10-2 pa
水冷方式 rf线圈和本体

application cases.

应用案例
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